Descripción
Transistores de efecto campo
Resumen del libro
Este manual ofrece un estudio completo y riguroso de los transistores de efecto campo (FET), orientado especialmente a estudiantes de Ingeniería de Telecomunicación. La obra integra el análisis físico de las estructuras semiconductoras MOSFET y JFET con los modelos electrónicos utilizados para su caracterización en aplicaciones analógicas y digitales. Además, proporciona una visión panorámica de aspectos complementarios como los procesos de fabricación, dispositivos específicos (MESFET, MOSFET de potencia), el manejo de hojas de catálogo y las fuentes de ruido en FET. Es un recurso esencial para comprender el funcionamiento y la aplicación práctica de estos componentes fundamentales en la electrónica moderna.
¿De qué trata?
El libro aborda el estudio de los transistores de efecto campo desde una perspectiva integral. Comienza con el análisis físico de las estructuras semiconductoras, tanto de los transistores de efecto campo de metal-óxido-semiconductor (MOSFET) como de los de unión (JFET). A partir de este fundamento, se justifican y desarrollan los modelos electrónicos que permiten caracterizar el comportamiento de estos dispositivos en circuitos analógicos y digitales. La obra también incluye una rápida panorámica sobre aspectos adicionales relevantes, como las fases de fabricación de los FET, las particularidades de dispositivos de aplicación específica (como los MESFET y los MOSFET de potencia), el estudio de hojas de catálogo de dispositivos reales y el análisis de las fuentes de ruido en estos componentes.
Temas principales
- Análisis físico de las estructuras semiconductoras MOSFET y JFET.
- Modelos electrónicos para la caracterización de FET en circuitos analógicos y digitales.
- Procesos de fabricación de transistores de efecto campo.
- Dispositivos de aplicación específica: MESFET y MOSFET de potencia.
- Interpretación de hojas de catálogo de dispositivos FET reales.
- Fuentes de ruido en transistores de efecto campo.
¿Para quién está recomendado?
Este libro está recomendado para estudiantes universitarios de Ingeniería de Telecomunicación, así como para alumnos de otras titulaciones de ingeniería electrónica que necesiten una comprensión profunda de los transistores de efecto campo. También resulta útil para profesionales del sector que deseen actualizar o reforzar sus conocimientos sobre estos dispositivos fundamentales.
Qué aporta este libro
- Una comprensión integral de los FET, desde su física subyacente hasta su modelado electrónico.
- Herramientas prácticas para la caracterización y aplicación de MOSFET y JFET en circuitos analógicos y digitales.
- Conocimiento sobre dispositivos específicos como MESFET y MOSFET de potencia, ampliando el espectro de aplicaciones.
- Capacidad para interpretar y utilizar hojas de catálogo de dispositivos reales, facilitando el diseño práctico.
Ficha técnica
- Autor: Casilari Pérez; Eduardo, Romero Jerez; Juan Manuel, Trazegnies Otero; Carmen de
- Editorial: Servicio de Publicaciones y Divulgación Científica
- Idioma: Español
- Tema: INGENIERIA ELECTRONICA Y DE LAS COMUNICACIONES
- Colección: MANUALES
- Encuadernación: Bolsillo
- Fecha de edición: No disponible
- Número de páginas: 190
- Dimensiones: 24.0 cm x 17.0 cm
- Peso: 387.0 gr
Valoración editorial
Este manual destaca por su enfoque didáctico y completo, cubriendo tanto los fundamentos físicos como los modelos prácticos de los transistores de efecto campo. Su estructura progresiva, que va del análisis de las estructuras semiconductoras a la caracterización en circuitos y la exploración de dispositivos específicos, lo convierte en una herramienta de estudio muy útil para estudiantes de ingeniería. La inclusión de temas como la fabricación, las hojas de catálogo y el ruido en FET aporta un valor añadido al ofrecer una visión más amplia y aplicada de estos componentes esenciales en la electrónica de las comunicaciones.